BSIM4 and MOSFET Modeling For IC Simulation

时隔一年，重新来读这本书。

BSIM（Berkeley Short channel IGFET Model，短沟道IGFET模型于1997年成为第一个用于模拟CMOS（(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物）集成电路的国际工业标准紧凑型模型。据信，自1998年以来，全球开发的大多数集成电路都是使用BSIM设计的。
BSIM服务于广泛的CMOS技术和IC应用。

Chapter 1 BSIM and IC Simulation
一个集成电路包含数百万到数十亿个晶体管。在投入昂贵的制造之前，电路的功能和性能必须通过计算机模拟进行验证。
电路采用SPICE（集成电路重点仿真程序）方法进行仿真，该方法最早由加州大学伯克利分校的Ron Rohrer和Don Pederson教授及其学生于20世纪70年代初开发。在这种方法中，集成电路的微分和代数节点和分支方程（DAE）通过数值分析算法求解。
电路通常是非线性的，因为MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等晶体管是非线性器件（与偏置无关的电阻器或电容器相反）。

对于MOSFET器件，晶体管漏极电流的复杂行为，一般形式为Id（Vg，Vd，Vs、Vb、L、W），由一组称为紧凑模型的分析方程精确表示。
如果这些方程式印在纸上，它们可能会占用几页。然而，当它们在SPICE中实现时，会产生数以万计的计算机代码行。长度和复杂性方程中使用的函数对电路仿真时间有显著影响。因此，优化模型的计算效率和准确性非常重要。除了漏极电流之外，器件端子电荷和/或电容也由解析方程表示。

Chapter 2 Fundamental MOSFET Physical Effects and Their Models for BSIM4
Chapter 3 Channel DC Current and Output Resistance
Chapter 4 Gate Direct-Tunneling and Body Currents
Chapter 5 Charge and Capacitance Models
Chapter 6 Non-Quasi-Static and Parasitic Gate and Body Resistances
Chapter 7 Noise Models
Chapter 8 Source and Drain Parasitics: Layout-Dependence Model
Chapter 9 Junction Diode IV and CV Models
Chapter 10 SPICE Implementation Example: The Methodology with BSIM4 Transient NQS
Chapter 11 Multi-Gate Transistor Model