VD1013 DFN小封装芯片 适用于小电流的输出的电池保护芯片

        VD1013内置高精度电压检测电路和延迟电路以及内置MOSFET，是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护IC。
        本IC适合于对1节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护     。

VD1013具备如下特点:
高精度电压检测电路
过充电检测电压      4.30V   精度±50mV
过充电释放电压      4.15V   精度±70mV
过放电检测电压      2.80V   精度±100mV
过放电释放电压      3.00V   精度±100mV
各延迟时间由内部电路设置
过充电检测延迟时间     典型值100ms
过放电检测延迟时间     典型值100ms
工作模式         典型值1.5μA，(VDD=3.5V)
过放电模式     典型值0.5μA，(VDD=2.0V)
允许向0V电池充电.
宽工作温度范围:-40℃~+85℃

小封装:DFN1x1-4L   

典型的电路原理图应用

VD1013是一款小封装的芯片，过放保护2.8A     过流保护0.8A  ，适用小电流充电和放电的情况，能有效的保护电路

  搜恒森宇电子了解更多相关功能！  首页